介電常數(shù)介質(zhì)耗損測試儀性能：
滿足標(biāo)準：GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法。

介電常數(shù)介質(zhì)耗損測試儀各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項重要的物理性質(zhì)，通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε)，可進一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。

它以單片計算機作為儀器的控制，測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，標(biāo)準頻率測試點自動設(shè)定，諧振點自動搜索，Q值量程自動轉(zhuǎn)換，數(shù)值顯示等新技術(shù)，改進了調(diào)諧回路，使得調(diào)諧測試回路的殘余電感減至zui低，并保留了原Q表中自動穩(wěn)幅等技術(shù)，使得新儀器在使用時更為方便，測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。

GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測試儀器，測試頻率上限達到目前高的160MHz。
GDAT高頻 Q 表采用了多項技術(shù)：

雙掃描技術(shù) - 測試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動調(diào)諧搜索功能。
雙測試要素輸入 - 測試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過數(shù)字按鍵輸入。
雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧，數(shù)碼化電容調(diào)諧。
自動化測量技術(shù) -對測試件實施 Q 值、諧振點頻率和電容的自動測量。
全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號源頻率、諧振指針。
DDS 數(shù)字直接合成的信號源 -確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。
計算機自動修正技術(shù)和測試回路*化 —使測試回路 殘余電感減至zui低，** Q 讀數(shù)值在不同頻率時要加以修正的困惑。
gdat高頻Q表的創(chuàng)新設(shè)計，無疑為高頻元器件的阻抗測量提供了*的解決方案，它給從事高頻電子設(shè)計的工程師、科研人員、高校實驗室和電子制造業(yè)提供了更為方便的檢測工具
，測量值更為精確，測量效率更高。使用者能在儀器給出的任何頻率、任意點調(diào)諧電容值下檢測器件的品質(zhì)，無須關(guān)注量程和換算單位。

該儀器用于科研機關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。
 
參數(shù)：
Q 值測量范圍  2 ～ 1023 ，

量程分檔： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動換檔或手動換檔 
固有誤差  ≤ 5 ％ ± 滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz） 
工作誤差  ≤7％ ± 滿度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz） 
電感測量范圍  4.5nH ～ 140mH 
電容直接測量范圍  1 ～ 200pF 
主電容調(diào)節(jié)范圍  18 ～ 220pF 
主電容調(diào)節(jié)準確度  100pF 以下 ± 1pF ； 100pF 以上 ± 1 ％ 
信號源頻率覆蓋范圍  100kHz ～ 160MHz 
頻率分段 （ 虛擬 ）  100 ～ 999.999kHz ， 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ， 100 ～ 160MHz 
頻率指示誤差  3 × 10 -5 ± 1 個字 

BD916介質(zhì)損耗測試裝置與本公司生產(chǎn)的各款高頻Q表配套，可用于測量絕緣材料的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗系數(shù)（損耗角正切值）。
BD916介質(zhì)損耗測試裝置是BD916914的換代產(chǎn)品，它采用了數(shù)顯微測量裝置，因而讀數(shù)方便，數(shù)據(jù)精確。
測試裝置由一個LCD數(shù)字顯示微測量裝置和一對間距可調(diào)的平板電容器極片組成。
平板電容器極片用于夾持被測材料樣品，微測量裝置則顯示被測材料樣品的厚度。
BD916介質(zhì)損耗測試裝置須配用Q表作為調(diào)諧指示儀器，通過被測材料樣品放進平板電容器和不放進樣品時的Q值變化，測得絕緣材料的損耗角正切值。
從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù)。

BD916介質(zhì)損耗測試裝置技術(shù)特性

平板電容器： 極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可選 　　　　　
極片間距可調(diào)范圍：≥15mm
2. 夾具插頭間距：25mm±0.01mm
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 （1MHz）
4．測微桿分辨率：0.001mm
 
電感：
 
線圈號    測試頻率    Q值    分布電容p       電感值 
  9         100KHz      98         9.4                25mH
  8         400KHz     138        11.4             4.87mH
  7         400KHz    202          16                 0.99mH
  6           1MHz     196          13                  252μH
  5           2MHz     198          8.7                 49.8μH
  4         4.5MHz    231           7                    10μH
  3          12MHz      193         6.9                  2.49μH
  2          12MHz      229        6.4                  0.508μH
  1   25MHz，50MHz   233，  211    0.9         0.125μH

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